主要规格及技术指标

末级透镜：复合式（静电、浸没式磁场的复合透镜）
高真空：30 kV (STEM) ， 0.7 nm；15 kV (BD)，0.5 nm；15 kV（6.4 nA，WD 10 mm），1.9 nm；1 kV，0.9 nm；1 kV (BD)，0.8 nm；1 kV（BD，WD 10 mm），1.0 nm；500 V (BD) ，0.8 nm；200 V (BD) ，1.2 nm。
低真空：3 kV (30 Pa)，1.8 nm；15 kV (30 Pa)，1.2 nm。
电子束参数：• 电子束电流范围: 1 pA - 400 nA；• 加速电压: 200 V – 30 kV；
• 着陆能量范围: 20 eV – 30 keV；• 最大水平视场宽：10 mm 工作距离下为 3.0 mm（对应于 最小放大倍率 x29）；• 10mm 分析工作距离 1kV 时电子束分辨率: 1nm。

主要附件及配置

扫描透射电子显微镜 Scanning Transmission Electron Microscopy（STEM 3+）
能谱仪 Energy Dispersive Spectrometer (EDS)
电子背散射衍射系统 Electron Back-ScatteredDiffraction (EBSD)

主要功能及特色

对于大多数样品都能达到纳米或亚纳米级别的空间分辨率。主要用于微纳米尺度表面形貌和元素分析的仪器，具有优异的空间分辨率、立体感好、时间成本低等优势。