1、基片尺寸:≤Φ4英寸,基片加电控挡板。2、基片加热器温度:室温~600℃±1℃。温度可用电脑编程控制,可控可调。3、基片架转速2~30转/分,可控可调。4、靶面到基片距离60~90mm可调。5、溅射均匀性≤±10%。
无
主要用磁控溅射或反应溅射的方法制备金属膜,半导体膜,陶恣膜,介质复合膜及多层膜和其它化学反应膜及掺杂膜等。适用于镀制各种单层膜,多层膜及掺杂膜系。可镀磁性材料和非磁性材料。