离子源
离子束能量 0.8-9keV
离子枪电流 0-3.5mA (每个离子源)
离子束半高宽 0.8mm (10keV条件下),2.5mm (2keV条件下)
工作气体 高纯氩气99.999%
离子枪
离子枪 两把鞍型场枪,可对样品的大面积区域进行离子抛光或减薄,抛光区域≥20mm直径
离子枪倾斜角度 每把枪≥±30°(设置精度±0.1°)
离子束相对样品研磨角度 0°- 90° (依据不同的样品台)
样品台
配备样品台 TEM和SEM样品台各一套
样品台旋转转速 0.6-8
主要有EM RES102主机、离子枪和样品台
对样品薄片样品进行离子减薄,使得薄片样品可被透射电子穿过,从而适宜TEM透射电子显微镜观察;对无机块状样品进行离子束抛光、离子束刻蚀,样品表面离子清洗及斜坡切割,便于SEM扫描电子显微镜观察样品内部结构信息。
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