射频500W可调,诱导耦合ICP激发远程气体等离子体,采用碳化硅样品加热台可实现室温到600℃可变温控。ICP天线位置可调可控制等离子体产生的位置,配备负极偏压装置实现等离子体流向控制提高成膜的质量等离子体表面处理效率;6路气体进气,2路高精度MFC质量流量计控制进气,两真空腔体均采用金属密封,真空度可达8×10-6Pa。整机漏率≤1×10-8Pa.L/s。
无
可进行氢气,氮气,氧气,氩气等多种气体的等离子体表面处理。