主要规格及技术指标

主要技术指标
1、系统极限真空：主溅射室： 6×10-5Pa
2、靶的结构尺寸及成膜方式：靶在下，基片在上，向上溅射成膜。主溅射室下底有三个靶枪位，安装两个永磁磁控靶枪，一个电磁磁控靶枪，靶材直径Ф60mm，各靶枪均水冷。靶与基片距离为40～80mm连续可调，并有调位距离指示。
3、衬底基片：样品台可放置4片基片（Ф30mm），为水冷加热转盘，可加偏压。样品加热温度：室温～500℃。
4、配备有两路进气系统，包含惰性气体和反应气体，且带有流量控制计

主要附件及配置

气体进气控制系统，共溅射控制系统，膜厚在线监测系统。

主要功能及特色

主要用于纳米级的单层及多层功能膜、各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜等的研究开发，广泛应用于半导体行业、微电子及新材料领域。
可溅射材料：预约送样前电话咨询。